<address id="hzlnh"></address>

<address id="hzlnh"></address><address id="hzlnh"></address>
<em id="hzlnh"></em>

    <address id="hzlnh"></address>

    <noframes id="hzlnh">

      <address id="hzlnh"></address>
      您現在的位置:首頁 > 體育 > 正文

      新技術可讓金屬鉑“化身”半導體

      時間:2018-08-10 11:38:54    來源:新華社    

      日本研究人員最新研究發現,金屬鉑制成只有2納米厚的超薄膜時,可以擁有類似硅等半導體的特性。研究人員認為,這一發現挑戰了對于半導體材料的傳統認知,有助于推動相關領域發展。

      傳統意義上,金屬和半導體被嚴格區分,金屬一般導電性能好,而半導體介于絕緣體和導體之間,導電性可受控制。用硅等常見半導體材料制造的晶體管廣泛應用于各種電子設備中。

      京都大學研究小組發現,在一種名為“釔鐵石榴石”的磁性絕緣體上將重金屬鉑制成只有2納米厚的超薄膜時,它可以像半導體一樣,通過外部電壓控制電阻。

      此外,研究人員還發現鉑能夠大幅調節和控制“自旋軌道耦合”這一效應。自旋軌道耦合是指粒子自旋和軌道運動之間的相互作用,在自旋電子學等研究中扮演關鍵角色。半導體或其他新材料的研究常常會涉及這一效應。

      研究小組稱,這一發現與傳統的固體物理學常識不符,將有助于電子學和自旋電子學領域的發展。這一研究成果已發表在新一期英國《自然·通訊》雜志上。(華義)

      相關新聞

      凡本網注明“XXX(非貴州100°網)提供”的作品,均轉載自其它媒體,轉載目的在于傳遞更多信息,并不代表本網贊同其觀點和其真實性負責。

      特別關注